Innovazione nel disolfuro di molibdeno: controllare carica ed emissione luminosa

Un team di ricerca composto da esperti del Consiglio Nazionale delle Ricerche (Cnr-Ismn, Cnr-Imm, Cnr-Imem) e dell’Università degli Studi di Firenze ha recentemente compiuto un’importante scoperta nel campo dei materiali avanzati. Attraverso l’introduzione controllata di difetti atomici nel disolfuro di molibdeno, ridotto a un singolo strato, i ricercatori sono riusciti a ottenere un materiale capace di trattenere carica elettrica per tempi prolungati e di modulare l’emissione luminosa.

La tecnica innovativa utilizzata è la nanolitografia elettrochimica, che permette di creare e disporre vacanze di zolfo con una precisione sub-micrometrica. Questa distribuzione artificiale di difetti non solo influisce sull’immagazzinamento della carica, ma modifica anche le proprietà fotoniche del materiale, agendo sull’interazione tra elettroni e lacune. Grazie a questo approccio, è possibile controllare le zone emissive e il tempo di vita della fluorescenza, che nello studio è stato osservato variare da decine a poche centinaia di nanosecondi.

Il fenomeno osservato è descritto come una forma di memoria elettrostatica racchiusa in uno spessore di un atomo, suggerendo potenziali applicazioni in dispositivi di memoria, sistemi optoelettronici e accumulatori elettrici. La ricerca è stata pubblicata su Nano Letters e rientra nel progetto PRIN MAVAM, finanziato dal Ministero dell’Università e della Ricerca (MUR) e dall’Unione Europea tramite il programma Next Generation EU.

Questi sviluppi rappresentano un passo significativo verso l’ottimizzazione di superfici funzionali avanzate e potrebbero rivoluzionare il modo in cui interagiamo con la tecnologia, rendendo i dispositivi più efficienti e performanti.